Photo Photo Photo Photo Photo Photo
Print
E-mail
Physics: Preparation and Characterization of Nickel Oxide Thin Films by Electrostatic Spray Technique

 

Preparation and Characterization of Nickel Oxide Thin Films by Electrostatic Spray Technique

Raied K. Jamal*, Qahtan G. Al-Zaidi, Nada Mohamed Saeed, Iman N. Taaban

Department of Physics, College of Science, University of Baghdad, Baghdad, Iraq

Abstract

A simple, inexpensive, and home–built electrostatic spray deposition (ESD) system with stable cone-jet mode was used to obtain nickel oxide (NiO) thin films on glass substrates kept at temperature of 400°C. The primary precursor solution of 0.1 M concentration hydrated nickel chloride dissolved in isopropyl alcohol. The structural, optical and electrical parameters were studied. The optical absorbance spectra for the studied samples showed its maximum around 280 nm. On the other hand, thickness interferometry measurements on the tested samples showed that film thickness was around 400 nm. The optical energy gap of the prepared NiO samples was determined to be 3.75 eV and the maximum value of refractive index was determined to be 2.1 at 350 nm.

 

Keywords: Electrostatic spray deposition; Nickel oxide; Thin films; Optical properties

 

تحضير ودراسة خصائص الاغشية الرقيقة لاوكسيد النيكل المحضرة بتقانه الرش الكهربائي المستقر

 

رائد كامل جمال*، قحطان كاطع الزيدي، ندى محمد سعيد، ايمان ناجي تعبان

قسم الفيزياء، كلية العلوم، جامعة بغداد، بغداد، العراق

 

الخلاصة

تم استخدام طريقة ترسيب الرش الكهربائي المستقر البسيطة وغير المكلفة والمتجانسة للحصول على اغشية رقيقة لاوكسيد النيكل المرسبة على قواعد زجاجية بدرجة حرارية 400 سيليزي. المحلول الاولي كان كلورايد النيكل المهدرج المذاب في ايسوبروبيل الكحول بتركيز 0.1 مولاري.ثم دراسة الخصائص التركيبية والكهربائية والبصرية  ولذلك طيف الامتصاص البصري للاغشية المحضرة اظهرت اعلى قيمة لها عند الطول الموجي 280 نانو متر. وكذلك ،تم قياس السمك بطريقة التداخل البصري حيث ان سمك الاغشية كان حوالي 400 نانومتر. فجوة الطاقة البصرية للاغشية والعينات المحضرة حددت ب 3.75 الكترون فولت واقصى قيمة لمعامل الانكسار كان بحدود 2.1 عند 350 نانومتر.





alt

 

S5 Box

Login



Register

*
*
*
*
*

Fields marked with an asterisk (*) are required.